據(jù)外媒消息，日本產(chǎn)業(yè)省周二表示，將向鎧俠和西部數(shù)據(jù)提供2429億日元（約合16.4億美元）補(bǔ)貼，幫助它們?cè)谌乜h和巖手縣擴(kuò)大存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。日本工業(yè)大臣齋藤健表示，支持日本芯片制造商鎧俠與西部數(shù)據(jù)合并。并預(yù)計(jì)未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)，包括用于生成式人工智能的內(nèi)存。

自2021年以來(lái)，西部數(shù)據(jù)及其制造合作伙伴鎧俠一直就合并事宜展開(kāi)談判，合并后雙方將創(chuàng)建一家控制全球NAND閃存市場(chǎng)三分之一的公司。2022年10月，鎧俠和西部數(shù)據(jù)在日本三重縣四日市合資建設(shè)的閃存制造工廠Fab7舉行了竣工儀式。該廠總投資約一萬(wàn)億日元，第一階段部分投入由政府補(bǔ)貼資助，以促進(jìn)日本本土尖端半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)。該工廠具備生產(chǎn)162層NAND Flash和未來(lái)更先進(jìn)3D閃存的能力。

該合并談判在2023年10月陷入僵局，隨后西部數(shù)據(jù)宣布，該公司將剝離一直面臨供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題的閃存業(yè)務(wù)，并為其部分債務(wù)進(jìn)行新一輪融資。此次分拆將使這家數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品制造商保留其傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器業(yè)務(wù)，并創(chuàng)建兩家上市公司，以滿足激進(jìn)投資者埃利奧特的要求。去年，埃利奧特投資管理公司向西部數(shù)據(jù)施加壓力，要求將其閃存業(yè)務(wù)和硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器部門(mén)分開(kāi)。

近日，據(jù)外媒引援知情人士說(shuō)法稱，貝恩資本正與相關(guān)公司洽談，尋求重啟存儲(chǔ)芯片制造商西部數(shù)據(jù)與日本半導(dǎo)體公司鎧俠的合并談判。


三大存儲(chǔ)原廠削減產(chǎn)能

為了調(diào)整市場(chǎng)供應(yīng)，加速供需關(guān)系回歸平衡，三星電子、SK海力士和美光這三大存儲(chǔ)原廠紛紛采取了多項(xiàng)實(shí)質(zhì)性措施。

首先，三星電子在2023年第四季度的資本開(kāi)支同比大幅減少25.53%，降至14.0萬(wàn)億韓元，體現(xiàn)了其對(duì)產(chǎn)能控制的決心。該公司計(jì)劃至2024年上半年，將NAND閃存產(chǎn)量削減規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大至40%-50%，以有效緩解市場(chǎng)供過(guò)于求的壓力。

其次，SK海力士也相應(yīng)減少了投資力度，2023年的資本開(kāi)支同比下降50%至9.5萬(wàn)億韓元，并預(yù)計(jì)2024年資本開(kāi)支將同比小幅增長(zhǎng)。公司自2023年10月起宣布實(shí)施NAND閃存減產(chǎn)措施，該政策將持續(xù)到至少2024年6月。

再者，美光方面，在2023財(cái)年內(nèi)，各季度資本開(kāi)支呈現(xiàn)逐季下滑趨勢(shì)，至2024財(cái)年第一季度（FQ1-24），資本開(kāi)支環(huán)比激增88.89%，升至17億美元。自2022年11月開(kāi)始，美光首次宣布并逐步加大減產(chǎn)幅度，從最初的20%逐步提升至30%，同時(shí)預(yù)測(cè)2024年的晶圓開(kāi)工率將顯著低于2022年的水平。

與此同時(shí)，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的多家存儲(chǔ)廠商也在2023年第四季度實(shí)現(xiàn)了營(yíng)收的環(huán)比增長(zhǎng)，反映出市場(chǎng)需求回暖以及存儲(chǔ)價(jià)格上漲的良好態(tài)勢(shì)。例如，模組廠商威剛得益于PC市場(chǎng)的復(fù)蘇，23Q4單季營(yíng)收創(chuàng)下近13年來(lái)的歷史新高，并預(yù)期DRAM與NAND Flash價(jià)格有望在全年保持上升格局。存儲(chǔ)封測(cè)廠商力成科技在23Q4的季度營(yíng)收超出了預(yù)期，其中12月份的營(yíng)收更是達(dá)到了近14個(gè)月的新高，并樂(lè)觀預(yù)計(jì)2024年下半年公司的稼動(dòng)率有望達(dá)到80%，且此良好勢(shì)頭可能延續(xù)至2025年。

滿足個(gè)性化需求成重點(diǎn)

在存儲(chǔ)領(lǐng)域，還有一些常用卻又容易忽視的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，諸如U盤(pán)、閃存卡、移動(dòng)硬盤(pán)等。可能有人說(shuō)，2023年了，誰(shuí)還用U盤(pán)，手機(jī)空間都256GB起步了。話是這么說(shuō)，但是能用到U盤(pán)的場(chǎng)景還是很多的。不過(guò)，這的確已經(jīng)不是各大廠商發(fā)力的重點(diǎn)產(chǎn)品線了。移動(dòng)硬盤(pán)類產(chǎn)品，移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)更多滿足專業(yè)化存儲(chǔ)需求，為極客玩家提供更快速的存儲(chǔ)方案。而移動(dòng)機(jī)械硬盤(pán)，仍然有容價(jià)比優(yōu)勢(shì)。廠商除了在外觀上做一些個(gè)性化設(shè)計(jì)以外，卻也不能再有性能更強(qiáng)的新品了。不過(guò)，沖著顏值和容價(jià)比，還是可以沖一波的。閃存卡則與這兩類產(chǎn)品有所不同，它一直有著自己固定又專業(yè)的目標(biāo)客戶群，所以即使不是每個(gè)人都會(huì)買(mǎi)，廠商仍然會(huì)在提升它的專業(yè)性能上發(fā)力。

體現(xiàn)到終端設(shè)備上的亮點(diǎn)與創(chuàng)新，讓消費(fèi)者切實(shí)感受到了存儲(chǔ)設(shè)備在速度和容量上的再次突破。沒(méi)錯(cuò)，為了應(yīng)對(duì)日益快速增長(zhǎng)的用戶數(shù)據(jù)量，存儲(chǔ)設(shè)備提速和擴(kuò)容是永恒不變的主旋律。在這個(gè)基礎(chǔ)上，滿足專業(yè)用戶個(gè)性化的存儲(chǔ)需求的解決方案將會(huì)成為各大廠商未來(lái)主要發(fā)力的方向。

值得一提的是，在2023年，采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND顆粒、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM顆粒的固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存在“價(jià)格戰(zhàn)”中搶占優(yōu)勢(shì)，也給了消費(fèi)者更多、更具性價(jià)比的存儲(chǔ)解決方案。尤其是人工智能的廣泛應(yīng)用，數(shù)據(jù)量快速增長(zhǎng)，NAND、DRAM、HBM 等高性能存儲(chǔ)設(shè)備需求量更加龐大，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)迎來(lái)了最好的時(shí)機(jī)。對(duì)消費(fèi)者來(lái)說(shuō)，一款性能靠譜的產(chǎn)品就會(huì)得到大家的青睞。希望在2024年，我們會(huì)看到更多能夠輕松應(yīng)對(duì)不斷變化的存儲(chǔ)需求的解決方案。


HBM成為高性能計(jì)算軍備競(jìng)賽的核心

目前，訓(xùn)練、推理環(huán)節(jié)存力需求持續(xù)增長(zhǎng)、消費(fèi)端及邊緣側(cè)算力增長(zhǎng)，正在打開(kāi)HBM市場(chǎng)空間。

從成本端來(lái)看，HBM的平均售價(jià)至少是DRAM的三倍，此前受ChatGPT的拉動(dòng)同時(shí)受限產(chǎn)能不足，HBM的價(jià)格一路上漲，與性能最高的DRAM相比HBM3的價(jià)格上漲了五倍，高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流。

根據(jù)TrendForce，2022年全球HBM容量約為1.8億GB，2023年增長(zhǎng)約60%達(dá)到2.9億GB，2024年將再增長(zhǎng)30%。方正證券觀點(diǎn)認(rèn)為，以HBM每GB售價(jià)20美元測(cè)算，2022年全球HBM市場(chǎng)規(guī)模約為36.3億美元，預(yù)計(jì)至2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)127.4億美元，對(duì)應(yīng)CAGR約37%。

集邦咨詢則表示，2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3，需求比重預(yù)計(jì)分別為50%及39%。2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3，HBM3比重預(yù)計(jì)達(dá)60%。由于HBM3平均銷售單價(jià)遠(yuǎn)高于HBM2e與HBM2，因此將助力原廠HBM領(lǐng)域營(yíng)收增長(zhǎng)，有望進(jìn)一步帶動(dòng)2024年整體HBM營(yíng)收至89億美元，同比增長(zhǎng)127%。

目前整個(gè)HBM市場(chǎng)是三分天下的格局，其中SK海力士技術(shù)領(lǐng)先，三星/美光加速追趕。

SK海力士當(dāng)前技術(shù)領(lǐng)先，核心在于MR-MUF技術(shù)，MR-MUF能有效提高導(dǎo)熱率，并改善工藝速度和良率。SK海力士于2021年10月率先發(fā)布HBM3，2023年4月公司實(shí)現(xiàn)了全球首創(chuàng)12層硅通孔技術(shù)垂直堆疊芯片，容量達(dá)到24GB，比上一代HBM3高出50%，SK海力士計(jì)劃在2023年年底前提供HBM3E樣品，并于2024年量產(chǎn)，公司目標(biāo)2026年生產(chǎn)HBM4。

三星則有萬(wàn)億韓元新建封裝線，預(yù)計(jì)25年量產(chǎn)HBM4。為應(yīng)對(duì)HBM市場(chǎng)的需求，三星電子已從三星顯示（SamsungDisplay）購(gòu)買(mǎi)天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑物和設(shè)備，用于建設(shè)新HBM封裝線，總投資額達(dá)到7000-10000億韓元。三星預(yù)計(jì)將在2023Q4開(kāi)始向北美客戶供應(yīng)HBM3。

美光則將在2024年量產(chǎn)HBM3E，多代產(chǎn)品研發(fā)中。美光在此前的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示將在2024年通過(guò)HBM3E實(shí)現(xiàn)追趕，預(yù)計(jì)其HBM3E將于2024Q3或者Q4開(kāi)始為英偉達(dá)的下一代GPU供應(yīng)。11月6日美光在臺(tái)灣臺(tái)中四廠正式開(kāi)工，宣布將集成先進(jìn)的探測(cè)和封裝測(cè)試功能，生產(chǎn)HBM3E等產(chǎn)品。