意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術(shù)并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進(jìn)制造工藝,支持下一代嵌入式處理器升級進(jìn)化。這項(xiàng)新工藝技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同開發(fā),使嵌入式處理應(yīng)用的性能和功耗實(shí)現(xiàn)巨大飛躍,同時(shí)可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設(shè)?;谛录夹g(shù)的下一代 STM32 微控制器的首款產(chǎn)品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片,2025 年下半年排產(chǎn)。